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www.fairchildsemi.com
FFPF12UP20DN
6
A,
200
V,
Ultrafast
Dual
Diode
Electrical Characteristics
(per diode) TC
= 25°C unless otherwise noted
*Pulse Test: Pulse Width=300
μs, Duty Cycle=2%
Test Circuit and Waveforms
Symbol
Parameter
Min. Typ. Max.
Unit
VF
*
IF
= 6
A
IF
= 6
A
TC
= 25
°C
TC
= 100
°C
-
-
-
-
1.15
1.0
V
V
IR
*
VR
= 200
V
VR
= 200
V
TC
= 25
°
C
TC
= 100
°C
-
-
-
-
100
500
μA
μA
trr
IF
=
1
A, di/dt = 100
A/μs, VCC
= 30
V
IF
=
6
A, di/dt = 200
A/μs, VCC
= 130
V
TC
= 25
°C
TC
= 25
°C
-
-
-
-
30
35
ns
ns
ta
tb
Qrr
IF
=
6
A, di/dt = 200
A/μs, VCC
= 130
V
TC
= 25
°C
TC
= 25
°C
TC
= 25
°
C
-
-
-
12
12
24
-
-
-
ns
ns
nC
WAVL
Avalanche Energy (L = 20mH)
10 -
-
mJ
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FFPF12UP20DN Rev. A
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